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高純度黑磷晶體

簡要描述:高純度黑磷晶體 Black Phosphorus-Crystal
晶體結構:正斜方晶結構晶體尺寸:~10mm
電學性能:半導體
晶體結構:斜方晶系
晶胞參數:a = 0.331 nm, b= 1.048, c = 0.437 nm, α = β = γ = 90°
晶體類型:合成
晶體純度:>99.995%
性質:半導體

  • 產品型號:HQBP
  • 廠商性質:生產廠家
  • 更新時間:2025-05-07
  • 訪  問  量:2294

詳細介紹

高純度黑磷晶體 Black Phosphorus-Crystal
晶體結構:正斜方晶結構晶體尺寸:~10mm
電學性能:半導體
晶體結構:斜方晶系
晶胞參數:a = 0.331 nm, b= 1.048, c = 0.437 nm, α = β = γ = 90°
晶體類型:合成
晶體純度:>99.995%
性質:半導體

 

X-ray diffraction on a black phosphorus single crystal aligned along the (001) plane. XRD was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker. The 4 XRD peaks correspond, from left to right, to (00l) with l = 1, 2, 3, 4

 

Powder X-ray diffraction (XRD) of a single crystal black phosphorus. X-ray diffraction was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker.

 

Stoichiometric analysis of a single crystal black phosphorus by Energy-dispersive X-ray spectroscopy (EDX).

 

Raman spectrum of a single crystal black phosphorus. Measurement was performed with a 785nm Raman system at room temperature.

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